标题: 华润微MOS CS7N65FA9R
概述
CS7N65F A9R是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOSFET,该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功... 展开
标题: 华润微MOS CS7N65FA9R
概述
CS7N65F A9R是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOSFET,该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和提高效率。其封装形式为TO - 220F,符合RoHS标准。
特性
快速开关
低导通电阻(Rdson ≤ 1.4Ω)
低栅极电荷(典型数据:24nC)
低反向传输电容(典型值:5.5pF)
100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
适配器和充电器的功率开关电路。
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